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FET，MOSFET - 單個

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SIHH186N60EF-T1GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH EF PWR PWRPAK 8X8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
EF
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
16A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
193 毫歐 @ 9.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
32nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1081pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
114W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 8 x 8
封裝/外殼
8-PowerTDFN
商品其它信息
優(yōu)勢價格，SIHH186N60EF-T1GE3的國內現貨當天可發(fā)貨,國外現貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
暫無價格
參考庫存:63016
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP
暫無價格
參考庫存:63024
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
暫無價格
參考庫存:63048
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 6.4A I2PAK
暫無價格
參考庫存:63056
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK
暫無價格
參考庫存:63064
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