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產(chǎn)品分類

FET,MOSFET - 單個
TPS1100DR參考圖片

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TPS1100DR

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
15V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
1.6A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.7V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
180 毫歐 @ 1.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
5.45nC @ 10V
Vgs(最大值)
+2V,-15V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
+2V,-15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
791mW(Ta)
工作溫度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SOIC
封裝/外殼
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,TPS1100DR的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
暫無價格
參考庫存:23114
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223
暫無價格
參考庫存:23122
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
暫無價格
參考庫存:23130
FET,MOSFET - 單個
PT8 N-CH 40/20V POWER TRENCH MOS
暫無價格
參考庫存:23162
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223
暫無價格
參考庫存:23170
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