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CY14B116N-Z30XI

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參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術(shù)
NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量
16Mb (1M x 16)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
30ns
訪問時間
30ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝
48-TSOP I
商品其它信息
優(yōu)勢價格,CY14B116N-Z30XI的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP
暫無價格
參考庫存:3841
存儲器
IC FLASH 512M SPI 166MHZ
暫無價格
參考庫存:4468
存儲器
IC FLASH 128M SPI 66MHZ 16SO
暫無價格
參考庫存:4640
存儲器
IC FLASH 512M SPI 80MHZ 16SOIC
暫無價格
參考庫存:80817
存儲器
IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:6874
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