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DS1265Y-100

  • Maxim Integrated
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  • IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
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包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術(shù)
NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量
8Mb (1M x 8)
存儲器接口
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
100ns
訪問時間
100ns
電壓 - 電源
4.5V ~ 5.5V
工作溫度
0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
36-DIP 模塊(0.600",15.24mm)
供應(yīng)商器件封裝
36-EDIP
商品其它信息
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IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA
暫無價格
參考庫存:41061
存儲器
IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA
暫無價格
參考庫存:41069
存儲器
IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
暫無價格
參考庫存:41077
存儲器
IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA
暫無價格
參考庫存:41085
存儲器
IC FLASH 4G PARALLEL WAFER
暫無價格
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