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MT45W512KW16BEGB-708 WT TR參考圖片

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MT45W512KW16BEGB-708 WT TR

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參數(shù)參數(shù)值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
存儲器類型
易失
存儲器格式
PSRAM
技術(shù)
PSRAM(偽 SRAM)
存儲容量
8Mb (512K x 16)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
70ns
訪問時間
70ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
-30°C ~ 85°C(TC)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
54-VFBGA
供應(yīng)商器件封裝
54-VFBGA(6x8)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,MT45W512KW16BEGB-708 WT TR的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
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圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
暫無價格
參考庫存:41587
存儲器
IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ
暫無價格
參考庫存:41595
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
暫無價格
參考庫存:41603
存儲器
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 24BGA
暫無價格
參考庫存:41611
存儲器
IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
暫無價格
參考庫存:41619
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