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CYD18S18V18-200BBAXI

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參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 雙端口,同步
存儲容量
18Mb (1M x 18)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
200MHz
寫周期時間 - 字,頁
-
訪問時間
3.3ns
電壓 - 電源
1.42V ~ 1.58V,1.7V ~ 1.9V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
256-LBGA
供應商器件封裝
256-FBGA(17x17)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,CYD18S18V18-200BBAXI的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
暫無價格
參考庫存:36092
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
暫無價格
參考庫存:36100
存儲器
16KB I2C EEPROM AUTO GRADE 1
暫無價格
參考庫存:36108
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
暫無價格
參考庫存:36116
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
暫無價格
參考庫存:36124
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