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存儲器
CY14B104L-BA25XI參考圖片

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CY14B104L-BA25XI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
停產
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
4Mb （512K x 8）
存儲器接口
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁
25ns
訪問時間
25ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
48-TFBGA
供應商器件封裝
48-FBGA（6x10）
商品其它信息
優(yōu)勢價格，CY14B104L-BA25XI的國內現貨當天可發(fā)貨,國外現貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
暫無價格
參考庫存:34784
存儲器
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
暫無價格
參考庫存:34792
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IC FLASH 32G PARALLEL 100VBGA
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IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
暫無價格
參考庫存:34808
存儲器
IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA
暫無價格
參考庫存:34816
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