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存儲器
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CY7C21701KV18-400BZXC

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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 同步,DDR II+
存儲容量
18Mb (512K x 36)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
400MHz
寫周期時間 - 字,頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.9V
工作溫度
0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-LBGA
供應商器件封裝
165-FBGA(13x15)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,CY7C21701KV18-400BZXC的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA
暫無價格
參考庫存:26810
存儲器
IC FLASH 4M SPI 100MHZ 8VVSOP
暫無價格
參考庫存:26818
存儲器
IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
暫無價格
參考庫存:26826
存儲器
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
暫無價格
參考庫存:26834
存儲器
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
暫無價格
參考庫存:26842
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