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FET,MOSFET - 單個
SIHW33N60E-GE3參考圖片

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SIHW33N60E-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
  • 數(shù)據(jù)手冊下載
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
33A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
99 毫歐 @ 16.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
150nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
3508pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
278W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247AD
封裝/外殼
TO-3P-3 整包
商品其它信息
優(yōu)勢價格,SIHW33N60E-GE3的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
暫無價格
參考庫存:4902
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:5433
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
暫無價格
參考庫存:5395
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 42A TO-247AD
暫無價格
參考庫存:9725
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
暫無價格
參考庫存:11844
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