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產(chǎn)品分類

FET,MOSFET - 單個
SIRA26DP-T1-RE3參考圖片

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SIRA26DP-T1-RE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
剪切帶(CT)
系列
TrenchFET? Gen IV
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
60A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
2.65 毫歐 @ 15A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
44nC @ 10V
Vgs(最大值)
+16V,-12V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2247pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
43.1W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SO-8
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
商品其它信息
優(yōu)勢價格,SIRA26DP-T1-RE3的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:51069
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:51101
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
暫無價格
參考庫存:51117
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:51141
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 85A TO220AB
暫無價格
參考庫存:51149
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