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FET，MOSFET - 單個
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STB200N4F3

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
STripFET?
零件狀態(tài)
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
120A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
75nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
5100pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
優(yōu)勢價格，STB200N4F3的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
暫無價格
參考庫存:42531
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
暫無價格
參考庫存:42555
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
暫無價格
參考庫存:42579
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 19A DPAK
暫無價格
參考庫存:42587
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
暫無價格
參考庫存:42595
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