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FET,MOSFET - 單個
IPD30N06S2L23ATMA1參考圖片

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IPD30N06S2L23ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
OptiMOS?
零件狀態(tài)
Digi-Key 停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
30A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
23 毫歐 @ 22A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 50μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
42nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1091pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
100W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
商品其它信息
優(yōu)勢價格,IPD30N06S2L23ATMA1的國內現貨當天可發(fā)貨,國外現貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
暫無價格
參考庫存:15546
EPC
FET,MOSFET - 單個
GANFET TRANS 200V 48A BUMPED DIE
暫無價格
參考庫存:250552
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3
暫無價格
參考庫存:17988058
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 18A TO263
暫無價格
參考庫存:67068
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
暫無價格
參考庫存:12328
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