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UGBT、MOSFET - 單
RGS80TSX2DHRC11參考圖片

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RGS80TSX2DHRC11

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
80A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
120A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.1V @ 15V,40A
功率 - 最大值
555W
開關能量
3mJ(開),3.1mJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
104nC
25°C 時 Td(開/關)值
49ns/199ns
測試條件
600V,40A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
198ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247N
商品其它信息
優(yōu)勢價格,RGS80TSX2DHRC11的國內現貨當天可發(fā)貨,國外現貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 80A 260.4W TO247A
暫無價格
參考庫存:40638
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 360V 21A 150W TO252AA
暫無價格
參考庫存:40646
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 16A 77W D2PAK
暫無價格
參考庫存:40654
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 28A 63W ISOPLUS220
暫無價格
參考庫存:40662
UGBT、MOSFET - 單
IC DISCRETE 600V TO252-3
暫無價格
參考庫存:40670
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