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產(chǎn)品分類

UGBT、MOSFET - 單
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FGD3N60UNDF

  • ON Semiconductor
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  • IGBT 600V 6A 60W DPAK
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
6A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
9A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.52V @ 15V,3A
功率 - 最大值
60W
開關(guān)能量
52μJ(開),30μJ(關(guān))
輸入類型
標準
柵極電荷
1.6nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值
5.5ns/22ns
測試條件
400V,3A,10 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間(trr)
21ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝
TO-252,(D-Pak)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,F(xiàn)GD3N60UNDF的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 60A 200W D2PAK
暫無價格
參考庫存:10352
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 16A 70W TO247-3
暫無價格
參考庫存:6432
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 30A 150W TO263AA
暫無價格
參考庫存:40525
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
暫無價格
參考庫存:7475
UGBT、MOSFET - 單
IXGT6N170A TRL
暫無價格
參考庫存:40543
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