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產(chǎn)品分類

UGBT、MOSFET - 單
RGW80TK65DGVC11參考圖片

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RGW80TK65DGVC11

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • 數(shù)據(jù)手冊下載
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
39A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
160A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
1.9V @ 15V,40A
功率 - 最大值
81W
開關(guān)能量
760μJ(開),720μJ(關(guān))
輸入類型
標準
柵極電荷
110nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值
44ns/143ns
測試條件
400V,40A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
92ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3PFM,SC-93-3
供應商器件封裝
TO-3PFM
商品其它信息
優(yōu)勢價格,RGW80TK65DGVC11的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT
暫無價格
參考庫存:36947
UGBT、MOSFET - 單
IGBT
暫無價格
參考庫存:36955
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 18A 60W DPAK
暫無價格
參考庫存:36963
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 550A 2300W TO247
暫無價格
參考庫存:36971
UGBT、MOSFET - 單
MOSFET N-CH
暫無價格
參考庫存:3118
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