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產(chǎn)品分類

UGBT、MOSFET - 單
HGTG20N60B3D參考圖片

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HGTG20N60B3D

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 40A 165W TO247
  • 數(shù)據(jù)手冊下載
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數(shù)據(jù)手冊
參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
不適用於新設計
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
40A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
160A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2V @ 15V,20A
功率 - 最大值
165W
開關(guān)能量
475μJ(開),1.05mJ(關(guān))
輸入類型
標準
柵極電荷
80nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值
-
測試條件
-
反向恢復時間(trr)
55ns
工作溫度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247-3
商品其它信息
優(yōu)勢價格,HGTG20N60B3D的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 32A 200W TO247
暫無價格
參考庫存:38890
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 30A 250W TO252-3
暫無價格
參考庫存:38898
UGBT、MOSFET - 單
INDUSTRY 14
暫無價格
參考庫存:38906
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 28A 100W D2PAK
暫無價格
參考庫存:38914
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 440V 20A 150W D2PAK
暫無價格
參考庫存:38930
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