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產(chǎn)品分類

UGBT、MOSFET - 單

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DGTD65T60S2PT

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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
100A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
180A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.4V @ 15V,60A
功率 - 最大值
428W
開關能量
920μJ(開),530μJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
95nC
25°C 時 Td(開/關)值
42ns/142ns
測試條件
400V,60A,7 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
205ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247
商品其它信息
優(yōu)勢價格,DGTD65T60S2PT的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 50A 600V TO-247
暫無價格
參考庫存:43484
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 60A 200W TO220
暫無價格
參考庫存:43492
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 120A 360W PLUS264
暫無價格
參考庫存:43500
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
暫無價格
參考庫存:43516
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
暫無價格
參考庫存:43524
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