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UGBT、MOSFET - 單
FGA6065ADF參考圖片

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FGA6065ADF

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 650V 120A 306W TO3P
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
120A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
180A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.3V @ 15V,60A
功率 - 最大值
306W
開關能量
2.46mJ(開),520μJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
84nC
25°C 時 Td(開/關)值
25.6ns/71ns
測試條件
400V,60A,6 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
110ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3,SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3PN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 167W D2PAK
暫無價格
參考庫存:36365
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20A 52W LDPAK
暫無價格
參考庫存:36373
UGBT、MOSFET - 單
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
暫無價格
參考庫存:3470
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 120A 469W TO247
暫無價格
參考庫存:4037
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20A 60W DPAK
暫無價格
參考庫存:36385
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