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UGBT、MOSFET - 單

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IXYN120N65C3D1

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
GenX3?,XPT?
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
190A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
620A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.8V @ 15V,100A
功率 - 最大值
830W
開關能量
1.25mJ(開),500μJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
265nC
25°C 時 Td(開/關)值
28ns/127ns
測試條件
400V,50A,2 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
29ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4,miniBLOC
供應商器件封裝
SOT-227B
商品其它信息
優(yōu)勢價格,IXYN120N65C3D1的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
暫無價格
參考庫存:8745
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 20A TO247
暫無價格
參考庫存:42883
UGBT、MOSFET - 單
650V 60A FS4 TRENCH IGBT
暫無價格
參考庫存:10010
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
暫無價格
參考庫存:42893
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20A 52W LDPAK
暫無價格
參考庫存:42909
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